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アイテム
フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性
https://repo.qst.go.jp/records/83321
https://repo.qst.go.jp/records/83321f0c37797-64a1-438f-82e6-121022aa2a88
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2021-06-24 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Operating Characteristics of Full 4H-SiC Pixel Device under UV-Light Irradiation | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
黒木, 伸一郎
× 黒木, 伸一郎× 西垣内, 健汰× 目黒, 達也× 武山, 昭憲× 大島, 武× 田中, 保宣× Akinori, Takeyama× Takeshi, Ohshima |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 高放射線下など極限環境で動作可能なイメージセンサとして、耐放射線性に優れた4H-SiCを用いてCMOSイメージセンサ用画素デバイスを試作し、波長290 nmから370 nmの紫外線照射下での動作特性を調べた。 まず作成した4H-SiCフォトダイオードの量子効率を測定したところ、波長290 nmにおいて30.7%であった。4H-SiC画素デバイスに波長300 nmの紫外光を照射し、照射強度を0 – 0.555 mW/cm2まで変化させ出力電圧を測定した結果、紫外光の照射強度を上げると信号変化が大きくなった。これは紫外光照射でフォトダイオードに生成したキャリア電子が、CMOS部のトランジスタに充電されていることを示し、作成したイメージセンサが正常に動作することを示している。 |
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| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第82回応用物理学会秋季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2021-09-11 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
