@misc{oai:repo.qst.go.jp:00083321,
 author = {黒木, 伸一郎 and 西垣内, 健汰 and 目黒, 達也 and 武山, 昭憲 and 大島, 武 and 田中, 保宣 and Akinori, Takeyama and Takeshi, Ohshima},
 month = {Sep},
 note = {高放射線下など極限環境で動作可能なイメージセンサとして、耐放射線性に優れた4H-SiCを用いてCMOSイメージセンサ用画素デバイスを試作し、波長290 nmから370 nmの紫外線照射下での動作特性を調べた。
　まず作成した4H-SiCフォトダイオードの量子効率を測定したところ、波長290 nmにおいて30.7%であった。4H-SiC画素デバイスに波長300 nmの紫外光を照射し、照射強度を0 – 0.555 mW/cm2まで変化させ出力電圧を測定した結果、紫外光の照射強度を上げると信号変化が大きくなった。これは紫外光照射でフォトダイオードに生成したキャリア電子が、CMOS部のトランジスタに充電されていることを示し、作成したイメージセンサが正常に動作することを示している。, 第82回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {フル4H-SiC画素デバイスの紫外線照射下動作特性},
 year = {2021}
}