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アイテム
耐放射線 CMOSイメージセンサに向けたSOI Si/4H SiC ハイブリッド画素素子の出力特性
https://repo.qst.go.jp/records/83320
https://repo.qst.go.jp/records/8332083ed0a31-30ca-458c-9b03-5b05ef3affcb
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2021-06-24 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 耐放射線 CMOSイメージセンサに向けたSOI Si/4H SiC ハイブリッド画素素子の出力特性 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Output characteristics of SOI Si/4H SiC hybrid pixel devices for radiation hardened CMOS image sensors | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
目黒, 達也
× 目黒, 達也× 堤, 将之× 武山, 昭憲× 大島, 武× 田中, 保宣× 黒木, 伸一郎× Akinori, Takeyama× Takeshi, Ohshima |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 原子力発電所の廃炉作業に投入される作業ロボットの稼働時間は、主にカメラに搭載されるイメージセンサが故障するまでの時間で制限される。特にフォトダイオードからの信号を増幅するCMOSに用いられるシリコン(Si)金属‐酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(Si-MOSFET)は放射線の影響を受けやすいことが知られている。そこで本研究では、従来のイメージセンサに使用されるSi-MOSFETを、ワイドバンドギャップ半導体であり放射線耐性がより高いSiC-MOSFETに置き換えることで、放射線耐性ハイブリッド型画素デバイスを作製し特性を評価した。 SiフォトダイオードとSiC-MOSFETを同一基板上に集積化したデバイスの出力電圧は、照射した可視光の照度に依存して大きくなった。これは光照射によりSiフォトダイオードで発生した電圧信号が、CMOSを構成するSiC-MOSFETで増幅されていることを示しており、作製したハイブリッド型デバイスがイメージセンサとして動作することを確認した。 |
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| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第82回応用物理学会秋季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2021-09-11 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
