{"created":"2023-05-15T15:01:25.151707+00:00","id":83320,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"114987a3-a707-46db-a8f3-cf2288c8f6a2"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"83320","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"83320"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:repo.qst.go.jp:00083320","sets":["10:29"]},"author_link":["1000676","1000675","1000674","1000672","1000671","1000673","1000677","1000670"],"item_10005_date_7":{"attribute_name":"発表年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_date_issued_datetime":"2021-09-11","subitem_date_issued_type":"Issued"}]},"item_10005_description_5":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"  原子力発電所の廃炉作業に投入される作業ロボットの稼働時間は、主にカメラに搭載されるイメージセンサが故障するまでの時間で制限される。特にフォトダイオードからの信号を増幅するCMOSに用いられるシリコン(Si)金属‐酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(Si-MOSFET)は放射線の影響を受けやすいことが知られている。そこで本研究では、従来のイメージセンサに使用されるSi-MOSFETを、ワイドバンドギャップ半導体であり放射線耐性がより高いSiC-MOSFETに置き換えることで、放射線耐性ハイブリッド型画素デバイスを作製し特性を評価した。 \n　SiフォトダイオードとSiC-MOSFETを同一基板上に集積化したデバイスの出力電圧は、照射した可視光の照度に依存して大きくなった。これは光照射によりSiフォトダイオードで発生した電圧信号が、CMOSを構成するSiC-MOSFETで増幅されていることを示しており、作製したハイブリッド型デバイスがイメージセンサとして動作することを確認した。\n","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_10005_description_6":{"attribute_name":"会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"第82回応用物理学会秋季学術講演会","subitem_description_type":"Other"}]},"item_access_right":{"attribute_name":"アクセス権","attribute_value_mlt":[{"subitem_access_right":"metadata only access","subitem_access_right_uri":"http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"目黒, 達也"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1000670","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"堤, 将之"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1000671","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"武山, 昭憲"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1000672","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"大島, 武"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1000673","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"田中, 保宣"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1000674","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"黒木, 伸一郎"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1000675","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"Akinori, Takeyama","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1000676","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"Takeshi, Ohshima","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1000677","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"conference object","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]},"item_title":"耐放射線 CMOSイメージセンサに向けたSOI Si/4H SiC ハイブリッド画素素子の出力特性","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"耐放射線 CMOSイメージセンサに向けたSOI Si/4H SiC ハイブリッド画素素子の出力特性"},{"subitem_title":"Output characteristics of SOI Si/4H SiC hybrid pixel devices for radiation hardened CMOS image sensors","subitem_title_language":"en"}]},"item_type_id":"10005","owner":"1","path":["29"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2021-06-24"},"publish_date":"2021-06-24","publish_status":"0","recid":"83320","relation_version_is_last":true,"title":["耐放射線 CMOSイメージセンサに向けたSOI Si/4H SiC ハイブリッド画素素子の出力特性"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-05-15T19:40:28.399954+00:00"}