@misc{oai:repo.qst.go.jp:00083320,
 author = {目黒, 達也 and 堤, 将之 and 武山, 昭憲 and 大島, 武 and 田中, 保宣 and 黒木, 伸一郎 and Akinori, Takeyama and Takeshi, Ohshima},
 month = {Sep},
 note = {原子力発電所の廃炉作業に投入される作業ロボットの稼働時間は、主にカメラに搭載されるイメージセンサが故障するまでの時間で制限される。特にフォトダイオードからの信号を増幅するCMOSに用いられるシリコン(Si)金属‐酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(Si-MOSFET)は放射線の影響を受けやすいことが知られている。そこで本研究では、従来のイメージセンサに使用されるSi-MOSFETを、ワイドバンドギャップ半導体であり放射線耐性がより高いSiC-MOSFETに置き換えることで、放射線耐性ハイブリッド型画素デバイスを作製し特性を評価した。 
　SiフォトダイオードとSiC-MOSFETを同一基板上に集積化したデバイスの出力電圧は、照射した可視光の照度に依存して大きくなった。これは光照射によりSiフォトダイオードで発生した電圧信号が、CMOSを構成するSiC-MOSFETで増幅されていることを示しており、作製したハイブリッド型デバイスがイメージセンサとして動作することを確認した。, 第82回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {耐放射線 CMOSイメージセンサに向けたSOI Si/4H SiC ハイブリッド画素素子の出力特性},
 year = {2021}
}