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アイテム
GaN(0001)表面における ポジトロニウム生成
https://repo.qst.go.jp/records/83076
https://repo.qst.go.jp/records/830761a76e142-4b42-481a-b6e5-771e68615942
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2021-07-02 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | GaN(0001)表面における ポジトロニウム生成 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
河裾, 厚男
× 河裾, 厚男× 河裾× 前川, 雅樹× 宮下, 敦巳× 和田, 健× 長嶋, 泰之× 石田, 明× Atsuo, Kawasuso× Masaki, Maekawa× Atsumi, Miyashita |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 固体表面からのポジトロニウム放出の研究では、主に金属や絶縁体が調べられて来たが、半導体に関する研究例は極めて少ない。半導体には、励起型（間接・直接励起）、バンドギャップ（100meV～10eV）、伝導型（n型、p型、半絶縁性）、そして、強いスピン軌道相互作用の有無によって様々な違いがある。半導体には、金属や絶縁体と同じように、負のポジトロニウム仕事関数を持つものが多くある。これらのことから、半導体からのポジトロニウム放出過程を調べることは、意味のあることと言える。そこで、我々は、2017年頃から、半導体からのポジトロニウム放出過程の研究を開始した。これまで、間接半導体であるシリコン（Si）と炭化ケイ素（SiC）からのポジトロニウム放出についての研究結果を報告してきた。今回は、直接励起型でワイドギャップを持つ窒化ガリウム（GaN）について得られた結果を報告する。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第58回アイソトープ・放射線研究発表会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2021-07-09 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
