@misc{oai:repo.qst.go.jp:00083076,
 author = {河裾, 厚男 and 河裾 and 前川, 雅樹 and 宮下, 敦巳 and 和田, 健 and 長嶋, 泰之 and 石田, 明 and Atsuo, Kawasuso and Masaki, Maekawa and Atsumi, Miyashita},
 month = {Jul},
 note = {固体表面からのポジトロニウム放出の研究では、主に金属や絶縁体が調べられて来たが、半導体に関する研究例は極めて少ない。半導体には、励起型（間接・直接励起）、バンドギャップ（100meV～10eV）、伝導型（n型、p型、半絶縁性）、そして、強いスピン軌道相互作用の有無によって様々な違いがある。半導体には、金属や絶縁体と同じように、負のポジトロニウム仕事関数を持つものが多くある。これらのことから、半導体からのポジトロニウム放出過程を調べることは、意味のあることと言える。そこで、我々は、2017年頃から、半導体からのポジトロニウム放出過程の研究を開始した。これまで、間接半導体であるシリコン（Si）と炭化ケイ素（SiC）からのポジトロニウム放出についての研究結果を報告してきた。今回は、直接励起型でワイドギャップを持つ窒化ガリウム（GaN）について得られた結果を報告する。, 第58回アイソトープ・放射線研究発表会},
 title = {GaN(0001)表面における ポジトロニウム生成},
 year = {2021}
}