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アイテム
ナノピラー構造を組み込んだEr:O共添加Siダイオードの電気伝導特性およびエレクトロルミネッセンス計測
https://repo.qst.go.jp/records/82436
https://repo.qst.go.jp/records/82436de9bd271-5940-4fc0-b9aa-6268a1995b4b
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2021-03-23 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ナノピラー構造を組み込んだEr:O共添加Siダイオードの電気伝導特性およびエレクトロルミネッセンス計測 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
古瀬, 遼
× 古瀬, 遼× 藤本, 宇郁× 魏, 啓楠× 鈴木, 雄大× アブデルガファ, 愛満× 矢野, 真麻× 千葉, 悠貴× Prati, Enrico× Celebrano, Michele× 佐藤, 真一郎× 品田, 高宏× 谷井, 孝至× Shinichiro, Sato |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | シリコン（Si）中エルビウム（Er）は光通信の最低伝送損失波長である1.5µm帯の光子を放出し、既存のCMOSデバイスと優れた互換性を持つことから、量子暗号通信に必要不可欠な単一光子源として注目されている。しかし、Erの蛍光強度が低いことが課題となる。私たちはSi中Erの発光特性に関する基礎研究を行ってきており、SOI基板上にナノピラー構造を形成することで、ナノピラー中のErからのフォトルミネッセンス（PL）強度が増大することを見出した。本研究では、ナノピラー構造を組み込んだSiダイオードを作製し、その電気伝導特性およびエレクトロルミネッセンス（EL）を室温で観測した。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2021-03-19 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
