@misc{oai:repo.qst.go.jp:00082436,
 author = {古瀬, 遼 and 藤本, 宇郁 and 魏, 啓楠 and 鈴木, 雄大 and アブデルガファ, 愛満 and 矢野, 真麻 and 千葉, 悠貴 and Prati, Enrico and Celebrano, Michele and 佐藤, 真一郎 and 品田, 高宏 and 谷井, 孝至 and Shinichiro, Sato},
 month = {Mar},
 note = {シリコン（Si）中エルビウム（Er）は光通信の最低伝送損失波長である1.5µm帯の光子を放出し、既存のCMOSデバイスと優れた互換性を持つことから、量子暗号通信に必要不可欠な単一光子源として注目されている。しかし、Erの蛍光強度が低いことが課題となる。私たちはSi中Erの発光特性に関する基礎研究を行ってきており、SOI基板上にナノピラー構造を形成することで、ナノピラー中のErからのフォトルミネッセンス（PL）強度が増大することを見出した。本研究では、ナノピラー構造を組み込んだSiダイオードを作製し、その電気伝導特性およびエレクトロルミネッセンス（EL）を室温で観測した。, 第68回応用物理学会春季学術講演会},
 title = {ナノピラー構造を組み込んだEr:O共添加Siダイオードの電気伝導特性およびエレクトロルミネッセンス計測},
 year = {2021}
}