WEKO3
アイテム
SiC MOSキャパシタへの重イオン照射によるリーク電流の挙動
https://repo.qst.go.jp/records/81301
https://repo.qst.go.jp/records/81301dfa9584c-9a53-4047-90a5-31adc2f78471
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2020-12-10 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | SiC MOSキャパシタへの重イオン照射によるリーク電流の挙動 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
高橋, 美沙
× 高橋, 美沙× 仲田, 祐希× 水田, 栄一× 新藤, 浩之× 先崎, 純寿× 武山, 昭憲× 牧野, 高紘× 大島, 武× 岩田, 佳之× 久保山, 智司× Takeyama, Akinori× Makino, Takahiro× Ohshima, Takeshi× Iwata, Yoshiyuki |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 宇宙放射線耐性のパワーデバイスとして近年、炭化ケイ素 金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（SiC-MOSFET）の研究が進められているが、ゲート酸化膜の放射線耐性が弱いという課題があり、またその劣化挙動はシリコン（Si）MOSFETと異なることが報告されている。そこで本研究では、ゲート電極-ゲート酸化膜-SiCで構成されるSiC-MOSキャパシタにそれぞれ正負の電圧を印加しつつ重イオンビームを照射し、酸化膜中を流れるリーク電流を測定した。その結果、負電印加照射では-110V程度までリーク電流の増加が抑制され、SiC-MOSFETの場合、負電圧印加で放射線耐性が向上することを明らかにした。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第7回講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2020-12-09 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
