WEKO3
アイテム
{"_buckets": {"deposit": "1f448138-2a12-4659-9d7d-5a108ee2b144"}, "_deposit": {"created_by": 1, "id": "81301", "owners": [1], "pid": {"revision_id": 0, "type": "depid", "value": "81301"}, "status": "published"}, "_oai": {"id": "oai:repo.qst.go.jp:00081301", "sets": ["28"]}, "author_link": ["908113", "908117", "908118", "908110", "908114", "908119", "908108", "908112", "908107", "908109", "908111", "908116", "908106", "908115"], "item_10005_date_7": {"attribute_name": "発表年月日", "attribute_value_mlt": [{"subitem_date_issued_datetime": "2020-12-09", "subitem_date_issued_type": "Issued"}]}, "item_10005_description_5": {"attribute_name": "抄録", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": " 宇宙放射線耐性のパワーデバイスとして近年、炭化ケイ素 金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(SiC-MOSFET)の研究が進められているが、ゲート酸化膜の放射線耐性が弱いという課題があり、またその劣化挙動はシリコン(Si)MOSFETと異なることが報告されている。そこで本研究では、ゲート電極-ゲート酸化膜-SiCで構成されるSiC-MOSキャパシタにそれぞれ正負の電圧を印加しつつ重イオンビームを照射し、酸化膜中を流れるリーク電流を測定した。その結果、負電印加照射では-110V程度までリーク電流の増加が抑制され、SiC-MOSFETの場合、負電圧印加で放射線耐性が向上することを明らかにした。", "subitem_description_type": "Abstract"}]}, "item_10005_description_6": {"attribute_name": "会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "先進パワー半導体分科会 第7回講演会", "subitem_description_type": "Other"}]}, "item_access_right": {"attribute_name": "アクセス権", "attribute_value_mlt": [{"subitem_access_right": "metadata only access", "subitem_access_right_uri": "http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]}, "item_creator": {"attribute_name": "著者", "attribute_type": "creator", "attribute_value_mlt": [{"creatorNames": [{"creatorName": "高橋, 美沙"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908106", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "仲田, 祐希"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908107", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "水田, 栄一"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908108", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "新藤, 浩之"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908109", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "先崎, 純寿"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908110", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "武山, 昭憲"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908111", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "牧野, 高紘"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908112", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "大島, 武"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908113", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "岩田, 佳之"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908114", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "久保山, 智司"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908115", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Takeyama, Akinori", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908116", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Makino, Takahiro", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908117", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Ohshima, Takeshi", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908118", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Iwata, Yoshiyuki", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "908119", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}]}, "item_language": {"attribute_name": "言語", "attribute_value_mlt": [{"subitem_language": "jpn"}]}, "item_resource_type": {"attribute_name": "資源タイプ", "attribute_value_mlt": [{"resourcetype": "conference object", "resourceuri": "http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]}, "item_title": "SiC MOSキャパシタへの重イオン照射によるリーク電流の挙動", "item_titles": {"attribute_name": "タイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_title": "SiC MOSキャパシタへの重イオン照射によるリーク電流の挙動"}]}, "item_type_id": "10005", "owner": "1", "path": ["28"], "permalink_uri": "https://repo.qst.go.jp/records/81301", "pubdate": {"attribute_name": "公開日", "attribute_value": "2020-12-10"}, "publish_date": "2020-12-10", "publish_status": "0", "recid": "81301", "relation": {}, "relation_version_is_last": true, "title": ["SiC MOSキャパシタへの重イオン照射によるリーク電流の挙動"], "weko_shared_id": -1}
SiC MOSキャパシタへの重イオン照射によるリーク電流の挙動
https://repo.qst.go.jp/records/81301
https://repo.qst.go.jp/records/81301dfa9584c-9a53-4047-90a5-31adc2f78471
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
公開日 | 2020-12-10 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | SiC MOSキャパシタへの重イオン照射によるリーク電流の挙動 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
高橋, 美沙
× 高橋, 美沙× 仲田, 祐希× 水田, 栄一× 新藤, 浩之× 先崎, 純寿× 武山, 昭憲× 牧野, 高紘× 大島, 武× 岩田, 佳之× 久保山, 智司× Takeyama, Akinori× Makino, Takahiro× Ohshima, Takeshi× Iwata, Yoshiyuki |
|||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 宇宙放射線耐性のパワーデバイスとして近年、炭化ケイ素 金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(SiC-MOSFET)の研究が進められているが、ゲート酸化膜の放射線耐性が弱いという課題があり、またその劣化挙動はシリコン(Si)MOSFETと異なることが報告されている。そこで本研究では、ゲート電極-ゲート酸化膜-SiCで構成されるSiC-MOSキャパシタにそれぞれ正負の電圧を印加しつつ重イオンビームを照射し、酸化膜中を流れるリーク電流を測定した。その結果、負電印加照射では-110V程度までリーク電流の増加が抑制され、SiC-MOSFETの場合、負電圧印加で放射線耐性が向上することを明らかにした。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第7回講演会 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2020-12-09 | |||||
日付タイプ | Issued |