@misc{oai:repo.qst.go.jp:00081301,
 author = {高橋, 美沙 and 仲田, 祐希 and 水田, 栄一 and 新藤, 浩之 and 先崎, 純寿 and 武山, 昭憲 and 牧野, 高紘 and 大島, 武 and 岩田, 佳之 and 久保山, 智司 and Takeyama, Akinori and Makino, Takahiro and Ohshima, Takeshi and Iwata, Yoshiyuki},
 month = {Dec},
 note = {宇宙放射線耐性のパワーデバイスとして近年、炭化ケイ素 金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（SiC-MOSFET）の研究が進められているが、ゲート酸化膜の放射線耐性が弱いという課題があり、またその劣化挙動はシリコン（Si）MOSFETと異なることが報告されている。そこで本研究では、ゲート電極-ゲート酸化膜-SiCで構成されるSiC-MOSキャパシタにそれぞれ正負の電圧を印加しつつ重イオンビームを照射し、酸化膜中を流れるリーク電流を測定した。その結果、負電印加照射では-110V程度までリーク電流の増加が抑制され、SiC-MOSFETの場合、負電圧印加で放射線耐性が向上することを明らかにした。, 先進パワー半導体分科会 第7回講演会},
 title = {SiC MOSキャパシタへの重イオン照射によるリーク電流の挙動},
 year = {2020}
}