WEKO3
アイテム
量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価
https://repo.qst.go.jp/records/77933
https://repo.qst.go.jp/records/7793370b35bb5-544b-411f-9fa0-12e455915b62
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
公開日 | 2019-12-11 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
牧野, 高紘
× 牧野, 高紘× Makino, Takahiro |
|||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | Siに変わる高性能かつ高耐放射線性(イオン入射破壊耐性)半導体材料として期待されているSiC-MOSFETに対しイオン照射を行い、その破壊耐性を評価した。 評価対象は産総研製IE-MOSFETと、それと同程度の性能を持つWOLFSPEED社の市販SiC MOSFETとし、それぞれのイオン照射後のリーク電流をモニタすることで,イオン誘起破壊耐性を比較した。 |
|||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 先進パワー半導体分科会第6回講演会 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2019-12-04 | |||||
日付タイプ | Issued |