WEKO3
アイテム
量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価
https://repo.qst.go.jp/records/77933
https://repo.qst.go.jp/records/7793370b35bb5-544b-411f-9fa0-12e455915b62
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-12-11 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
牧野, 高紘
× 牧野, 高紘× Makino, Takahiro |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Siに変わる高性能かつ高耐放射線性(イオン入射破壊耐性)半導体材料として期待されているSiC-MOSFETに対しイオン照射を行い、その破壊耐性を評価した。 評価対象は産総研製IE-MOSFETと、それと同程度の性能を持つWOLFSPEED社の市販SiC MOSFETとし、それぞれのイオン照射後のリーク電流をモニタすることで，イオン誘起破壊耐性を比較した。 |
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| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会第6回講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-12-04 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
