@misc{oai:repo.qst.go.jp:00077933,
 author = {牧野, 高紘 and Makino, Takahiro},
 month = {Dec},
 note = {Siに変わる高性能かつ高耐放射線性(イオン入射破壊耐性)半導体材料として期待されているSiC-MOSFETに対しイオン照射を行い、その破壊耐性を評価した。
評価対象は産総研製IE-MOSFETと、それと同程度の性能を持つWOLFSPEED社の市販SiC MOSFETとし、それぞれのイオン照射後のリーク電流をモニタすることで，イオン誘起破壊耐性を比較した。, 先進パワー半導体分科会第6回講演会},
 title = {量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価},
 year = {2019}
}