WEKO3
アイテム
ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線耐性
https://repo.qst.go.jp/records/77749
https://repo.qst.go.jp/records/77749fd5df6dc-64a0-449b-ab43-9ab6617d1498
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-11-28 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線耐性 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
武山, 昭憲
× 武山, 昭憲× 清水, 奎吾× 牧野, 高紘× 山崎, 雄一× 大島, 武× 黒木, 伸一郎× 田中, 保宣× Takeyama, Akinori× Makino, Takahiro× Yamazaki, Yuichi× Ohshima, Takeshi |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | ノーマリーオフ型の炭化ケイ素接合型電解効果トランジスタ (SiC JFET) は、ゲート酸化膜を持たず、ガンマ線照射によるしきい値電圧(Vth)シフトが小さい耐放射線性素子として期待されている。そこで5.6MGy(H2O)までガンマ線を照射し、電気特性劣化を調べた。照射後もVthの顕著なシフトは見られず、正常にトランジスタ動作することを確認した。また線量の増加により、バルク/SiO2界面を流れるリーク電流が増加することを明らかにした。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-12-04 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
