@misc{oai:repo.qst.go.jp:00077749,
 author = {武山, 昭憲 and 清水, 奎吾 and 牧野, 高紘 and 山崎, 雄一 and 大島, 武 and 黒木, 伸一郎 and 田中, 保宣 and Takeyama, Akinori and Makino, Takahiro and Yamazaki, Yuichi and Ohshima, Takeshi},
 month = {Dec},
 note = {ノーマリーオフ型の炭化ケイ素接合型電解効果トランジスタ (SiC JFET) は、ゲート酸化膜を持たず、ガンマ線照射によるしきい値電圧(Vth)シフトが小さい耐放射線性素子として期待されている。そこで5.6MGy(H2O)までガンマ線を照射し、電気特性劣化を調べた。照射後もVthの顕著なシフトは見られず、正常にトランジスタ動作することを確認した。また線量の増加により、バルク/SiO2界面を流れるリーク電流が増加することを明らかにした。, 先進パワー半導体分科会 第6回講演会},
 title = {ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線耐性},
 year = {2019}
}