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アイテム
放射光その場X線回折によるInGaN/GaN多重量子井戸ナノワイヤの構造評価
https://repo.qst.go.jp/records/77602
https://repo.qst.go.jp/records/7760285f321fd-249a-48ee-b088-a1ed4066df3a
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-11-25 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 放射光その場X線回折によるInGaN/GaN多重量子井戸ナノワイヤの構造評価 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
杉谷, 寛弥
× 杉谷, 寛弥× 佐々木, 拓生× 高橋, 正光× Sugitani, Kanya× Sasaki, Takuo× Takahashi, Masamitsu |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | InGaN(窒化インジウムガリウム)/GaN(窒化ガリウム)多重量子井戸構造は、緑、黄色領域の発光デバイスとして期待されているが、高In組成のInGaNはGaNとの格子不整合が大きく、転位が発生しやすい[1]。そこで、転位の発生を抑制するために、ナノワイヤ構造が注目されている[2][3]。InGaN/GaN多重量子井戸ナノワイヤからの発光にはInGaN層の歪みやIn組成の均一性、積層数が深く関係しており、InGaN/GaN多重量子井戸の積層数、成長温度の最適化が必要である。そこで、本研究はInGaN層の歪み、In組成の均一性の積層数依存性、成長温度依存性を評価するために、20周期InGaN/GaN多重量子井戸ナノワイヤ成長中の放射光その場X線回折を適用した。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第2回結晶工学×ISYSE合同研究会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-11-20 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
