@misc{oai:repo.qst.go.jp:00077602,
 author = {杉谷, 寛弥 and 佐々木, 拓生 and 高橋, 正光 and Sugitani, Kanya and Sasaki, Takuo and Takahashi, Masamitsu},
 month = {Nov},
 note = {InGaN(窒化インジウムガリウム)/GaN(窒化ガリウム)多重量子井戸構造は、緑、黄色領域の発光デバイスとして期待されているが、高In組成のInGaNはGaNとの格子不整合が大きく、転位が発生しやすい[1]。そこで、転位の発生を抑制するために、ナノワイヤ構造が注目されている[2][3]。InGaN/GaN多重量子井戸ナノワイヤからの発光にはInGaN層の歪みやIn組成の均一性、積層数が深く関係しており、InGaN/GaN多重量子井戸の積層数、成長温度の最適化が必要である。そこで、本研究はInGaN層の歪み、In組成の均一性の積層数依存性、成長温度依存性を評価するために、20周期InGaN/GaN多重量子井戸ナノワイヤ成長中の放射光その場X線回折を適用した。, 第2回結晶工学×ISYSE合同研究会},
 title = {放射光その場X線回折によるInGaN/GaN多重量子井戸ナノワイヤの構造評価},
 year = {2019}
}