WEKO3
アイテム
耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC 画素集積化プロセス
https://repo.qst.go.jp/records/76938
https://repo.qst.go.jp/records/769380ee87f46-2d71-4640-a83a-000e6c77c2ec
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-09-26 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC 画素集積化プロセス | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | SOI-Si/4H-SiC pixel array fabrication process for radiation hardened image sensors | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
目黒, 達也
× 目黒, 達也× 長谷部, 史明× 武山, 昭憲× 大島, 武× 田中, 保宣× 黒木, 伸一郎× Takeyama, Akinori× Ohshima, Takeshi |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 原子力発電所の安全な廃炉プロセス実行のため、耐放射線性の可視光応答型カメラの実現が求められている。現在、一般的に用いられている4H型炭化ケイ素(4H-SiC)は耐放射線性に優れるが、可視光を吸収できない。そこで、駆動部である金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)をSiCで、受光部は、放射線耐性はやや劣るが可視光に応答するシリコン(Si)フォトダイオードで作製し、これらを集積化するプロセスを設計した。さらにこのプロセスで64画素(8x8)の可視光応型イメージセンサを試作し、室温でガンマ線照射を行った。2.2 MGy照射後もイメージセンサの動作特性は未照射とほぼ変わらず、今回設計したプロセスにより、数MGｙ耐性を有する可視光応答型イメージセンサの製作が可能であることを実証した。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第80回応用物理学会秋季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-09-19 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
