@misc{oai:repo.qst.go.jp:00076938,
 author = {目黒, 達也 and 長谷部, 史明 and 武山, 昭憲 and 大島, 武 and 田中, 保宣 and 黒木, 伸一郎 and Takeyama, Akinori and Ohshima, Takeshi},
 month = {Sep},
 note = {原子力発電所の安全な廃炉プロセス実行のため、耐放射線性の可視光応答型カメラの実現が求められている。現在、一般的に用いられている4H型炭化ケイ素(4H-SiC)は耐放射線性に優れるが、可視光を吸収できない。そこで、駆動部である金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)をSiCで、受光部は、放射線耐性はやや劣るが可視光に応答するシリコン(Si)フォトダイオードで作製し、これらを集積化するプロセスを設計した。さらにこのプロセスで64画素(8x8)の可視光応型イメージセンサを試作し、室温でガンマ線照射を行った。2.2 MGy照射後もイメージセンサの動作特性は未照射とほぼ変わらず、今回設計したプロセスにより、数MGｙ耐性を有する可視光応答型イメージセンサの製作が可能であることを実証した。, 第80回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {耐放射線イメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiC 画素集積化プロセス},
 year = {2019}
}