WEKO3
アイテム
高周波デバイス応用に向けた酸化ガリウムトランジスタ開発
https://repo.qst.go.jp/records/74801
https://repo.qst.go.jp/records/74801643f23a7-14c6-40f0-a347-7e17d1609cdb
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-03-17 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 高周波デバイス応用に向けた酸化ガリウムトランジスタ開発 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
東脇, 正高
× 東脇, 正高× ワン, マンホイ× 武山, 昭憲× 牧野, 高 紘× 大島, 武× 佐々木, 公平× 倉又, 朗人× 山腰, 茂伸× Takeyama, Akinori× Makino, Takahiro× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 酸化ガリウム (Ga2O3) は、4.5 eVと非常に大きなバンドギャップに起因する物性から、現在パワーデバイス応用を目指した研究開発が盛んになってきている。しかしながら、その期待される応用分野は、パワーデバイスに限定されるものではなく、その他にも多岐に渡ると考えられる。現在、我々はパワーデバイス応用に向けたスイッチングデバイス開発とともに、無線通信デバイスとしての開発も同時に進めている。本講演では、Ga2O3の物性、材料的特徴について述べた後、パワーデバイスのみならず、Ga2O3トランジスタに適すると我々が考える高周波、極限環境（高温、放射線下など）エレクトロニクスといった応用分野について解説する。その後、現在までに我々のグループで開発した横型Ga2O3 MOSFETのDCデバイス特性、高周波デバイス特性、放射線耐性等について発表する。このGa2O3 MOSFETは、オフ耐圧750 V以上、ドレイン電流オン/オフ比9桁以上、非常に小さなDC–RF周波数分散（カレントコラプス）、300°Cまでの安定高温動作等の優れたデバイス特性を示した。また、同デバイスに高ドーズ量ガンマ線を照射した後も、DCデバイス特性にほとんど劣化が確認されなかったことから、Ga2O3チャネルが大きなガンマ線耐性を有することも確認している。当日は、L帯 (1 GHz) ロードプル測定結果についても報告する予定である。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第79回応用物理学会秋季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2018-09-21 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
