{"created":"2023-05-15T14:55:02.199672+00:00","id":74801,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"a8567d0a-a91f-41db-bc55-a0451036367e"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"74801","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"74801"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:repo.qst.go.jp:00074801","sets":["10:27"]},"author_link":["737885","737876","737886","737884","737881","737880","737878","737877","737882","737883","737879"],"item_10005_date_7":{"attribute_name":"発表年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_date_issued_datetime":"2018-09-21","subitem_date_issued_type":"Issued"}]},"item_10005_description_5":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":" 酸化ガリウム (Ga2O3) は、4.5 eVと非常に大きなバンドギャップに起因する物性から、現在パワーデバイス応用を目指した研究開発が盛んになってきている。しかしながら、その期待される応用分野は、パワーデバイスに限定されるものではなく、その他にも多岐に渡ると考えられる。現在、我々はパワーデバイス応用に向けたスイッチングデバイス開発とともに、無線通信デバイスとしての開発も同時に進めている。本講演では、Ga2O3の物性、材料的特徴について述べた後、パワーデバイスのみならず、Ga2O3トランジスタに適すると我々が考える高周波、極限環境（高温、放射線下など）エレクトロニクスといった応用分野について解説する。その後、現在までに我々のグループで開発した横型Ga2O3 MOSFETのDCデバイス特性、高周波デバイス特性、放射線耐性等について発表する。このGa2O3 MOSFETは、オフ耐圧750 V以上、ドレイン電流オン/オフ比9桁以上、非常に小さなDC–RF周波数分散（カレントコラプス）、300°Cまでの安定高温動作等の優れたデバイス特性を示した。また、同デバイスに高ドーズ量ガンマ線を照射した後も、DCデバイス特性にほとんど劣化が確認されなかったことから、Ga2O3チャネルが大きなガンマ線耐性を有することも確認している。当日は、L帯 (1 GHz) ロードプル測定結果についても報告する予定である。","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_10005_description_6":{"attribute_name":"会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"第79回応用物理学会秋季学術講演会","subitem_description_type":"Other"}]},"item_access_right":{"attribute_name":"アクセス権","attribute_value_mlt":[{"subitem_access_right":"metadata only access","subitem_access_right_uri":"http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"東脇, 正高"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"737876","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"ワン, マンホイ"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"737877","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"武山, 昭憲"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"737878","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"牧野, 高 紘"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"737879","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"大島, 武"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"737880","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"佐々木, 公平"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"737881","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"倉又, 朗人"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"737882","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"山腰, 茂伸"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"737883","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"Takeyama, Akinori","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"737884","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"Makino, Takahiro","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"737885","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"Ohshima, Takeshi","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"737886","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"conference object","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]},"item_title":"高周波デバイス応用に向けた酸化ガリウムトランジスタ開発","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"高周波デバイス応用に向けた酸化ガリウムトランジスタ開発"}]},"item_type_id":"10005","owner":"1","path":["27"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2019-03-17"},"publish_date":"2019-03-17","publish_status":"0","recid":"74801","relation_version_is_last":true,"title":["高周波デバイス応用に向けた酸化ガリウムトランジスタ開発"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-05-16T07:43:41.106650+00:00"}