@misc{oai:repo.qst.go.jp:00074801,
 author = {東脇, 正高 and ワン, マンホイ and 武山, 昭憲 and 牧野, 高 紘 and 大島, 武 and 佐々木, 公平 and 倉又, 朗人 and 山腰, 茂伸 and Takeyama, Akinori and Makino, Takahiro and Ohshima, Takeshi},
 month = {Sep},
 note = {酸化ガリウム (Ga2O3) は、4.5 eVと非常に大きなバンドギャップに起因する物性から、現在パワーデバイス応用を目指した研究開発が盛んになってきている。しかしながら、その期待される応用分野は、パワーデバイスに限定されるものではなく、その他にも多岐に渡ると考えられる。現在、我々はパワーデバイス応用に向けたスイッチングデバイス開発とともに、無線通信デバイスとしての開発も同時に進めている。本講演では、Ga2O3の物性、材料的特徴について述べた後、パワーデバイスのみならず、Ga2O3トランジスタに適すると我々が考える高周波、極限環境（高温、放射線下など）エレクトロニクスといった応用分野について解説する。その後、現在までに我々のグループで開発した横型Ga2O3 MOSFETのDCデバイス特性、高周波デバイス特性、放射線耐性等について発表する。このGa2O3 MOSFETは、オフ耐圧750 V以上、ドレイン電流オン/オフ比9桁以上、非常に小さなDC–RF周波数分散（カレントコラプス）、300°Cまでの安定高温動作等の優れたデバイス特性を示した。また、同デバイスに高ドーズ量ガンマ線を照射した後も、DCデバイス特性にほとんど劣化が確認されなかったことから、Ga2O3チャネルが大きなガンマ線耐性を有することも確認している。当日は、L帯 (1 GHz) ロードプル測定結果についても報告する予定である。, 第79回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {高周波デバイス応用に向けた酸化ガリウムトランジスタ開発},
 year = {2018}
}