WEKO3
アイテム
イオンビームを用いたβ-FeSi2薄膜の合成とその空孔型欠陥評価
https://repo.qst.go.jp/records/73177
https://repo.qst.go.jp/records/731771314b881-09c3-4b18-8cb4-3e4ceec3b6b4
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-01-31 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | イオンビームを用いたβ-FeSi2薄膜の合成とその空孔型欠陥評価 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
薮内, 敦
× 薮内, 敦× 木野村, 敦× 前川, 雅樹× 河裾, 厚男× 前川 雅樹× 河裾 厚男 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | β-FeSi2は希少金属や有害元素を含まないため、GaAsに代わる赤外受発光デバイスとして期待されている。発光強度は、非発光再結合中心となるSi空孔をAl原子が埋めることで増強すると考えられているが、直接的に検証されていなかった。そこで本研究では、イオンビーム合成法により作製したβ-FeSi2にAlイオンを導入し、薄膜中の空孔型欠陥を陽電子消滅法を用いて調べた。FeSi2試料は、TIARA 400 kVイオン注入器を用いて、高抵抗FZ-Si基板にFeイオンビームを照射して作製した。その後、Alイオンビーム照射によりAlドープを行った。このβ-FeSi2薄膜に対し、陽電子消滅ガンマ線ドップラー幅広がり測定を行った。アンドープおよびAlドープFeSi2試料の陽電子消滅Sパラメータを比較すると、Alをドープした場合にはSパラメータの増大が観測され、空孔が導入されていることが分かった。Alドープ後の熱アニールを行ってもこの傾向は変わらなかった。これは、Alドープが、従来考えられていたようにSiサイトを置換するのではなく、空孔型欠陥の導入を促していることを示唆している。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | QST 高崎サイエンスフェスタ 2018 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2018-12-10 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
