{"created":"2023-05-15T14:53:44.242444+00:00","id":73177,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"81d5b52b-b113-4a4f-9e04-161274f614bb"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"73177","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"73177"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:repo.qst.go.jp:00073177","sets":["10:28"]},"author_link":["721173","721172","721175","721177","721176","721174"],"item_10005_date_7":{"attribute_name":"発表年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_date_issued_datetime":"2018-12-10","subitem_date_issued_type":"Issued"}]},"item_10005_description_5":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"β-FeSi2は希少金属や有害元素を含まないため、GaAsに代わる赤外受発光デバイスとして期待されている。発光強度は、非発光再結合中心となるSi空孔をAl原子が埋めることで増強すると考えられているが、直接的に検証されていなかった。そこで本研究では、イオンビーム合成法により作製したβ-FeSi2にAlイオンを導入し、薄膜中の空孔型欠陥を陽電子消滅法を用いて調べた。FeSi2試料は、TIARA 400 kVイオン注入器を用いて、高抵抗FZ-Si基板にFeイオンビームを照射して作製した。その後、Alイオンビーム照射によりAlドープを行った。このβ-FeSi2薄膜に対し、陽電子消滅ガンマ線ドップラー幅広がり測定を行った。アンドープおよびAlドープFeSi2試料の陽電子消滅Sパラメータを比較すると、Alをドープした場合にはSパラメータの増大が観測され、空孔が導入されていることが分かった。Alドープ後の熱アニールを行ってもこの傾向は変わらなかった。これは、Alドープが、従来考えられていたようにSiサイトを置換するのではなく、空孔型欠陥の導入を促していることを示唆している。","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_10005_description_6":{"attribute_name":"会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"QST 高崎サイエンスフェスタ 2018","subitem_description_type":"Other"}]},"item_access_right":{"attribute_name":"アクセス権","attribute_value_mlt":[{"subitem_access_right":"metadata only access","subitem_access_right_uri":"http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"薮内, 敦"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"721172","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"木野村, 敦"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"721173","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"前川, 雅樹"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"721174","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"河裾, 厚男"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"721175","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"前川 雅樹","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"721176","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"河裾 厚男","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"721177","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"conference object","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]},"item_title":"イオンビームを用いたβ-FeSi2薄膜の合成とその空孔型欠陥評価","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"イオンビームを用いたβ-FeSi2薄膜の合成とその空孔型欠陥評価"}]},"item_type_id":"10005","owner":"1","path":["28"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2019-01-31"},"publish_date":"2019-01-31","publish_status":"0","recid":"73177","relation_version_is_last":true,"title":["イオンビームを用いたβ-FeSi2薄膜の合成とその空孔型欠陥評価"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-05-15T19:32:07.251174+00:00"}