@misc{oai:repo.qst.go.jp:00073177,
 author = {薮内, 敦 and 木野村, 敦 and 前川, 雅樹 and 河裾, 厚男 and 前川 雅樹 and 河裾 厚男},
 month = {Dec},
 note = {β-FeSi2は希少金属や有害元素を含まないため、GaAsに代わる赤外受発光デバイスとして期待されている。発光強度は、非発光再結合中心となるSi空孔をAl原子が埋めることで増強すると考えられているが、直接的に検証されていなかった。そこで本研究では、イオンビーム合成法により作製したβ-FeSi2にAlイオンを導入し、薄膜中の空孔型欠陥を陽電子消滅法を用いて調べた。FeSi2試料は、TIARA 400 kVイオン注入器を用いて、高抵抗FZ-Si基板にFeイオンビームを照射して作製した。その後、Alイオンビーム照射によりAlドープを行った。このβ-FeSi2薄膜に対し、陽電子消滅ガンマ線ドップラー幅広がり測定を行った。アンドープおよびAlドープFeSi2試料の陽電子消滅Sパラメータを比較すると、Alをドープした場合にはSパラメータの増大が観測され、空孔が導入されていることが分かった。Alドープ後の熱アニールを行ってもこの傾向は変わらなかった。これは、Alドープが、従来考えられていたようにSiサイトを置換するのではなく、空孔型欠陥の導入を促していることを示唆している。, QST 高崎サイエンスフェスタ 2018},
 title = {イオンビームを用いたβ-FeSi2薄膜の合成とその空孔型欠陥評価},
 year = {2018}
}