WEKO3
アイテム
プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究
https://repo.qst.go.jp/records/73006
https://repo.qst.go.jp/records/730068968e4f3-aad3-4aa4-8aa0-dd066dbb5f72
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2018-11-12 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
山崎, 雄一
× 山崎, 雄一× 千葉, 陽史× 牧野, 高紘× 佐藤, 真一郎× 山田, 尚人× 佐藤, 隆博× 加田, 渉× 土方, 泰斗× 児島, 一聡× -Y., Lee S.× 大島, 武× 山崎 雄一× 千葉 陽史× 牧野 高紘× 佐藤 真一郎× 山田 尚人× 佐藤 隆博× 加田 渉× 大島 武 |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 炭化ケイ素半導体(SiC)中の発光中心の一つであるシリコン空孔(VSi)[1]は、温度や磁場の高感度量子センサへの応用が期待されている[2,3]。本研究では、pnダイオード内の任意位置にプロトン(H+)ビーム描画[4]によりVSiを形成、H+照射量がその光学特性に与える影響を調べた。その結果、高照射量下(>4×1013 H+/cm2)において結晶損傷による抵抗増大が特性劣化を引き起こすことがわかった。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2018-11-07 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
