@misc{oai:repo.qst.go.jp:00073006,
 author = {山崎, 雄一 and 千葉, 陽史 and 牧野, 高紘 and 佐藤, 真一郎 and 山田, 尚人 and 佐藤, 隆博 and 加田, 渉 and 土方, 泰斗 and 児島, 一聡 and -Y., Lee S. and 大島, 武 and 山崎 雄一 and 千葉 陽史 and 牧野 高紘 and 佐藤 真一郎 and 山田 尚人 and 佐藤 隆博 and 加田 渉 and 大島 武},
 month = {Nov},
 note = {炭化ケイ素半導体(SiC)中の発光中心の一つであるシリコン空孔(VSi)[1]は、温度や磁場の高感度量子センサへの応用が期待されている[2,3]。本研究では、pnダイオード内の任意位置にプロトン(H+)ビーム描画[4]によりVSiを形成、H+照射量がその光学特性に与える影響を調べた。その結果、高照射量下(>4×1013 H+/cm2)において結晶損傷による抵抗増大が特性劣化を引き起こすことがわかった。, 先進パワー半導体分科会 第5回講演会},
 title = {プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究},
 year = {2018}
}