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アイテム
イオン照射TEMその場観察法によるSiCナノチューブの微細組織変化
https://repo.qst.go.jp/records/72806
https://repo.qst.go.jp/records/72806f20ccc74-e337-4d67-957e-7ec59f5450ce
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2018-06-04 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | イオン照射TEMその場観察法によるSiCナノチューブの微細組織変化 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
田口, 富嗣
× 田口, 富嗣× 山本, 春也× 大場, 弘則× 田口 富嗣× 山本 春也× 大場 弘則 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | これまでに我々は、多結晶SiC ナノチューブの創製に成功している。これらSiCナノチューブは、SiCバルク材料では発現しない生体活性特性を有することから、これまでにない新奇な特性を示すことが期待されている。SiCバルク材料は、優れた耐荷電粒子照射特性を有することが知られているが、SiCナノチューブでは報告例がない。そこで本研究では、イオン照射によるSiCの微細組織変化について、ナノチューブとバルク材料とを比較検討した。 SiCナノチューブに、200keVのSiイオンを室温で照射し、その場TEM観察を行った。その結果、SiCナノチューブが完全にアモルファス化する照射量は、SiCバルク材料に比べて非常に大きいことがわかった。SiCナノチューブの内径及び外径の変化率に対する照射量の関係を評価した結果、内径および外径共に、一度増加し、照射量が1x10^20ions/m^2を超えると、減少に転じている。この値は、SiCナノチューブが完全にアモルファス化する照射量であり、多結晶-アモルファス間の微細組織制御のための有益な知見が得られた。 |
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| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 日本顕微鏡学会第74回学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2018-05-30 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
