@misc{oai:repo.qst.go.jp:00072806,
 author = {田口, 富嗣 and 山本, 春也 and 大場, 弘則 and 田口 富嗣 and 山本 春也 and 大場 弘則},
 month = {May},
 note = {これまでに我々は、多結晶SiC ナノチューブの創製に成功している。これらSiCナノチューブは、SiCバルク材料では発現しない生体活性特性を有することから、これまでにない新奇な特性を示すことが期待されている。SiCバルク材料は、優れた耐荷電粒子照射特性を有することが知られているが、SiCナノチューブでは報告例がない。そこで本研究では、イオン照射によるSiCの微細組織変化について、ナノチューブとバルク材料とを比較検討した。
　SiCナノチューブに、200keVのSiイオンを室温で照射し、その場TEM観察を行った。その結果、SiCナノチューブが完全にアモルファス化する照射量は、SiCバルク材料に比べて非常に大きいことがわかった。SiCナノチューブの内径及び外径の変化率に対する照射量の関係を評価した結果、内径および外径共に、一度増加し、照射量が1x10^20ions/m^2を超えると、減少に転じている。この値は、SiCナノチューブが完全にアモルファス化する照射量であり、多結晶-アモルファス間の微細組織制御のための有益な知見が得られた。, 日本顕微鏡学会第74回学術講演会},
 title = {イオン照射TEMその場観察法によるSiCナノチューブの微細組織変化},
 year = {2018}
}