{"created":"2023-05-15T14:53:27.825903+00:00","id":72806,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"82f65d7f-3013-4b23-b6db-c0f8c93dc330"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"72806","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"72806"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:repo.qst.go.jp:00072806","sets":["10:28"]},"author_link":["717299","717300","717303","717301","717302","717304"],"item_10005_date_7":{"attribute_name":"発表年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_date_issued_datetime":"2018-05-30","subitem_date_issued_type":"Issued"}]},"item_10005_description_5":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"　これまでに我々は、多結晶SiC ナノチューブの創製に成功している。これらSiCナノチューブは、SiCバルク材料では発現しない生体活性特性を有することから、これまでにない新奇な特性を示すことが期待されている。SiCバルク材料は、優れた耐荷電粒子照射特性を有することが知られているが、SiCナノチューブでは報告例がない。そこで本研究では、イオン照射によるSiCの微細組織変化について、ナノチューブとバルク材料とを比較検討した。\n　SiCナノチューブに、200keVのSiイオンを室温で照射し、その場TEM観察を行った。その結果、SiCナノチューブが完全にアモルファス化する照射量は、SiCバルク材料に比べて非常に大きいことがわかった。SiCナノチューブの内径及び外径の変化率に対する照射量の関係を評価した結果、内径および外径共に、一度増加し、照射量が1x10^20ions/m^2を超えると、減少に転じている。この値は、SiCナノチューブが完全にアモルファス化する照射量であり、多結晶-アモルファス間の微細組織制御のための有益な知見が得られた。","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_10005_description_6":{"attribute_name":"会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"日本顕微鏡学会第74回学術講演会","subitem_description_type":"Other"}]},"item_access_right":{"attribute_name":"アクセス権","attribute_value_mlt":[{"subitem_access_right":"metadata only access","subitem_access_right_uri":"http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"田口, 富嗣"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"717299","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"山本, 春也"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"717300","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"大場, 弘則"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"717301","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"田口 富嗣","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"717302","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"山本 春也","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"717303","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"大場 弘則","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"717304","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"conference object","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]},"item_title":"イオン照射TEMその場観察法によるSiCナノチューブの微細組織変化","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"イオン照射TEMその場観察法によるSiCナノチューブの微細組織変化"}]},"item_type_id":"10005","owner":"1","path":["28"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2018-06-04"},"publish_date":"2018-06-04","publish_status":"0","recid":"72806","relation_version_is_last":true,"title":["イオン照射TEMその場観察法によるSiCナノチューブの微細組織変化"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-05-15T19:35:51.582393+00:00"}