WEKO3
アイテム
窒化物半導体の成長初期構造の放射光解析
https://repo.qst.go.jp/records/72383
https://repo.qst.go.jp/records/723833b38035f-c6ca-4861-aa4e-1cb97c119452
| アイテムタイプ | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2017-07-18 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 窒化物半導体の成長初期構造の放射光解析 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference output | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
高橋, 正光
× 高橋, 正光× 佐々木, 拓生× 高橋 正光× 佐々木 拓生 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 放射光施設SPring-8(BL11XU)では窒化物半導体用のＭＢＥ装置とＸ線回折計をドッキングした独自のその場Ｘ線回折装置を開発し、これまでに窒化物半導体の結晶成長の素過程、特に成長初期における特異構造の探索を行っている。今回は成長初期構造に関する最近の研究成果を２つ（GaN薄膜の特異格子変形、GaN薄膜成長の表面構造）紹介する。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 平成29年度新学術領域「特異構造の結晶科学」領域全体会議 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2017-07-01 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
