@misc{oai:repo.qst.go.jp:00072383,
 author = {高橋, 正光 and 佐々木, 拓生 and 高橋 正光 and 佐々木 拓生},
 month = {Jul},
 note = {放射光施設SPring-8(BL11XU)では窒化物半導体用のＭＢＥ装置とＸ線回折計をドッキングした独自のその場Ｘ線回折装置を開発し、これまでに窒化物半導体の結晶成長の素過程、特に成長初期における特異構造の探索を行っている。今回は成長初期構造に関する最近の研究成果を２つ（GaN薄膜の特異格子変形、GaN薄膜成長の表面構造）紹介する。, 平成29年度新学術領域「特異構造の結晶科学」領域全体会議},
 title = {窒化物半導体の成長初期構造の放射光解析},
 year = {2017}
}