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アイテム
放射光その場X線回折によるInGaAs/InAs/GaAs(111)A界面のリアルタイム構造解析
https://repo.qst.go.jp/records/66182
https://repo.qst.go.jp/records/66182363d7c81-bdd2-4c75-aa3f-e3cc02791855
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-03-17 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 放射光その場X線回折によるInGaAs/InAs/GaAs(111)A界面のリアルタイム構造解析 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
佐々木, 拓生
× 佐々木, 拓生× 高橋, 正光× 佐々木 拓生× 高橋 正光 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | III-V族混晶半導体であるInGaAsはInとGaの組成比によって、バンドギャップエネルギーを幅広く制御できる特徴があり、多接合型太陽電池のサブセル材料として注目されている。太陽電池として使用するには、一般的に貫通転位密度が10^5 /cm^2以下のひずみ緩和した膜が理想である。GaAs(111)A基板は、InAs薄膜を成長した際に、ヘテロ界面にのみ転位が集中し、貫通転位が発生しにくいなど、GaAs(001)基板とは異なる特徴が報告されており、貫通転位密度の低減に有効な基板として注目されている。そこで本研究は、GaAs(111)A基板上のInGaAs薄膜のひずみ緩和過程を明らかにすることを目的として、放射光その場X線回折によるInGaAs/ InAs/GaAs(111)A界面の構造解析を行った。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 応用物理学会春季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2017-03-15 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
