@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066182,
 author = {佐々木, 拓生 and 高橋, 正光 and 佐々木 拓生 and 高橋 正光},
 month = {Mar},
 note = {III-V族混晶半導体であるInGaAsはInとGaの組成比によって、バンドギャップエネルギーを幅広く制御できる特徴があり、多接合型太陽電池のサブセル材料として注目されている。太陽電池として使用するには、一般的に貫通転位密度が10^5 /cm^2以下のひずみ緩和した膜が理想である。GaAs(111)A基板は、InAs薄膜を成長した際に、ヘテロ界面にのみ転位が集中し、貫通転位が発生しにくいなど、GaAs(001)基板とは異なる特徴が報告されており、貫通転位密度の低減に有効な基板として注目されている。そこで本研究は、GaAs(111)A基板上のInGaAs薄膜のひずみ緩和過程を明らかにすることを目的として、放射光その場X線回折によるInGaAs/ InAs/GaAs(111)A界面の構造解析を行った。, 応用物理学会春季学術講演会},
 title = {放射光その場X線回折によるInGaAs/InAs/GaAs(111)A界面のリアルタイム構造解析},
 year = {2017}
}