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アイテム
その場X線回折による窒化物半導体薄膜の結晶成長観察
https://repo.qst.go.jp/records/58788
https://repo.qst.go.jp/records/5878823a1c384-79b0-428b-907b-7d57c5e487f6
| Item type | 一般雑誌記事 / Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2017-11-03 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | その場X線回折による窒化物半導体薄膜の結晶成長観察 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
佐々木, 拓生
× 佐々木, 拓生× 高橋, 正光× 佐々木 拓生× 高橋 正光 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 窒化ガリウム（GaN）薄膜の成長初期にのみ発現する特異な格子変形現象を報告する。SPring-8、量研（QST）専用ビームラインBL11XUでは、結晶成長装置とX線回折計が一体化した独自のその場測定装置を有している。本研究は、GaN薄膜成長中のその場X線回折を原子層オーダーの膜厚分解能で測定し、GaNの面内および面内垂直方向の格子間隔の変化を詳細に調べた。その結果、膜厚数ナノメートルの成長初期にのみ、従来の弾性変形とは異なる特異な格子変形を見出した。 | |||||
| 書誌情報 |
SPring-8/SACLA利用者情報 巻 22, 号 4, p. 306-309, 発行日 2017-11 |
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| 関連サイト | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | https://user.spring8.or.jp/sp8info/?p=35122 | |||||
| 関連名称 | https://user.spring8.or.jp/sp8info/?p=35122 | |||||
