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  1. その他誌上発表

その場X線回折による窒化物半導体薄膜の結晶成長観察

https://repo.qst.go.jp/records/58788
https://repo.qst.go.jp/records/58788
23a1c384-79b0-428b-907b-7d57c5e487f6
Item type 一般雑誌記事 / Article(1)
公開日 2017-11-03
タイトル
タイトル その場X線回折による窒化物半導体薄膜の結晶成長観察
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ article
アクセス権
アクセス権 metadata only access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_14cb
著者 佐々木, 拓生

× 佐々木, 拓生

WEKO 586369

佐々木, 拓生

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高橋, 正光

× 高橋, 正光

WEKO 586370

高橋, 正光

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佐々木 拓生

× 佐々木 拓生

WEKO 586371

en 佐々木 拓生

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高橋 正光

× 高橋 正光

WEKO 586372

en 高橋 正光

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 窒化ガリウム(GaN)薄膜の成長初期にのみ発現する特異な格子変形現象を報告する。SPring-8、量研(QST)専用ビームラインBL11XUでは、結晶成長装置とX線回折計が一体化した独自のその場測定装置を有している。本研究は、GaN薄膜成長中のその場X線回折を原子層オーダーの膜厚分解能で測定し、GaNの面内および面内垂直方向の格子間隔の変化を詳細に調べた。その結果、膜厚数ナノメートルの成長初期にのみ、従来の弾性変形とは異なる特異な格子変形を見出した。
書誌情報 SPring-8/SACLA利用者情報

巻 22, 号 4, p. 306-309, 発行日 2017-11
関連サイト
識別子タイプ URI
関連識別子 https://user.spring8.or.jp/sp8info/?p=35122
関連名称 https://user.spring8.or.jp/sp8info/?p=35122
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Ver.1 2023-05-15 22:12:10.462692
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