@article{oai:repo.qst.go.jp:00058788,
 author = {佐々木, 拓生 and 高橋, 正光 and 佐々木 拓生 and 高橋 正光},
 issue = {4},
 journal = {SPring-8/SACLA利用者情報},
 month = {Nov},
 note = {窒化ガリウム（GaN）薄膜の成長初期にのみ発現する特異な格子変形現象を報告する。SPring-8、量研（QST）専用ビームラインBL11XUでは、結晶成長装置とX線回折計が一体化した独自のその場測定装置を有している。本研究は、GaN薄膜成長中のその場X線回折を原子層オーダーの膜厚分解能で測定し、GaNの面内および面内垂直方向の格子間隔の変化を詳細に調べた。その結果、膜厚数ナノメートルの成長初期にのみ、従来の弾性変形とは異なる特異な格子変形を見出した。},
 pages = {306--309},
 title = {その場X線回折による窒化物半導体薄膜の結晶成長観察},
 volume = {22},
 year = {2017}
}