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アイテム
4H-SiC 結晶中に形成された窒素空孔センタの偏光特性
https://repo.qst.go.jp/records/85083
https://repo.qst.go.jp/records/85083b9d4bd79-8e9b-4886-9991-6c462c39dee7
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2022-03-03 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 4H-SiC 結晶中に形成された窒素空孔センタの偏光特性 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
松下, 大記
× 松下, 大記× 佐藤, 真一郎× 大島, 武× 土方, 泰斗× Shinichiro, Sato× Takeshi, Ohshima |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | SiC中の窒素-空孔複合欠陥(NVセンタ)は、ダイヤモンドNVセンタと同様に量子数1のスピンを有し、さらに赤外波長域の単一光子源であるため、量子センシングといった量子技術への応用において有望視されている。しかし、NVセンタのような複合欠陥の場合、欠陥の結晶軸に起因した偏光特性を調査する必要があるが、SiC NVセンタの偏光特性が調査された事例は極めて少ない。そこで本研究では、SiC NVセンタの偏光特性の詳細を調べることを目的とし実験を行なった。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2022-03-25 | |||||
日付タイプ | Issued |