@misc{oai:repo.qst.go.jp:00085083,
 author = {松下, 大記 and 佐藤, 真一郎 and 大島, 武 and 土方, 泰斗 and Shinichiro, Sato and Takeshi, Ohshima},
 month = {Mar},
 note = {SiC中の窒素-空孔複合欠陥(NVセンタ)は、ダイヤモンドNVセンタと同様に量子数1のスピンを有し、さらに赤外波長域の単一光子源であるため、量子センシングといった量子技術への応用において有望視されている。しかし、NVセンタのような複合欠陥の場合、欠陥の結晶軸に起因した偏光特性を調査する必要があるが、SiC NVセンタの偏光特性が調査された事例は極めて少ない。そこで本研究では、SiC NVセンタの偏光特性の詳細を調べることを目的とし実験を行なった。, 第69回応用物理学会春季学術講演会},
 title = {4H-SiC 結晶中に形成された窒素空孔センタの偏光特性},
 year = {2022}
}