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アイテム
イオン注入したNdとGaNフォトニック結晶共振器の光学カップリング
https://repo.qst.go.jp/records/84008
https://repo.qst.go.jp/records/8400821e10edc-d26a-4a06-b772-4c1796cad926
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2021-12-05 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | イオン注入したNdとGaNフォトニック結晶共振器の光学カップリング | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
佐藤, 真一郎
× 佐藤, 真一郎× 大音, 隆男× 大島, 武× Shinichiro, Sato× Takeshi, Ohshima |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Si 基板上GaN エピ膜に100 keV-Nd をイオン注入し（注入量1×1014 cm-2、注入深さ約25 nm）、高温熱処理によって光学的に活性化させた後、微細加工技術を用いてPhC L3 共振器を形成した。共振器の設計パラメータによって共振周波数（波長）が変わるため、光学シミュレーションにより最適設計値を決定し、さらに設計パラメータを変化させて共振周波数の変化を調べたところ、L3 共振器の中央部では4F3/2 → 4I9/2 遷移起因の916 nm ピークが増強していることが分かった。以上から、パーセル効果により自然放出レートの増大が起こっていることが示唆される。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第22回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2021-12-04 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
