@misc{oai:repo.qst.go.jp:00084008,
 author = {佐藤, 真一郎 and 大音, 隆男 and 大島, 武 and Shinichiro, Sato and Takeshi, Ohshima},
 month = {Dec},
 note = {Si 基板上GaN エピ膜に100 keV-Nd をイオン注入し（注入量1×1014 cm-2、注入深さ約25 nm）、高温熱処理によって光学的に活性化させた後、微細加工技術を用いてPhC L3 共振器を形成した。共振器の設計パラメータによって共振周波数（波長）が変わるため、光学シミュレーションにより最適設計値を決定し、さらに設計パラメータを変化させて共振周波数の変化を調べたところ、L3 共振器の中央部では4F3/2 → 4I9/2 遷移起因の916 nm ピークが増強していることが分かった。以上から、パーセル効果により自然放出レートの増大が起こっていることが示唆される。, 第22回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会},
 title = {イオン注入したNdとGaNフォトニック結晶共振器の光学カップリング},
 year = {2021}
}