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アイテム
ヘテロpn接合太陽電池の非発光再結合レートに関する放射線損傷
https://repo.qst.go.jp/records/83676
https://repo.qst.go.jp/records/83676d3c532a4-2e6b-44af-8549-77802f622c54
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2021-10-28 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ヘテロpn接合太陽電池の非発光再結合レートに関する放射線損傷 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
中村, 徹哉
× 中村, 徹哉× 今泉, 充× 浅見, 明太× ヤンワチラークン, ワラーコン× 秋山, 英文× 岡田, 至崇× 佐藤, 真一郎× 大島, 武× Shinichiro, Sato× Takeshi, Ohshima |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 空乏領域におけるShockley-Read-Hall（SRH）再結合レート（U_SRH^dep）は，非発光再結合中心密度，真性キャリア密度（n_i）および印加電圧（V）によって決定するため， n_iが異なる材料を用いたヘテロpn接合構造を有する太陽電池[2]（以降，ヘテロ接合セル）であれば， n_iが低い材料内に空乏領域を形成することでU_SRH^depの制御が可能である．これまでに，ヘテロ接合セルを用いて自然欠陥に起因するU_SRH^depの低減効果を示したが，同様の効果は放射線欠陥に対しても期待できる．そこで，本研究では，ヘテロ接合セルのU_SRH^depに関する放射線損傷について検討した．その結果，ベース層の膜厚よりも拡散長が長い太陽電池の場合，ヘテロ接合セルは初期特性だけでなく，耐放射線性向上も期待できることがわかった． | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第18 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第1回日本太陽光発電学会学術講演会） | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2021-10-15 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
