@misc{oai:repo.qst.go.jp:00083676,
 author = {中村, 徹哉 and 今泉, 充 and 浅見, 明太 and ヤンワチラークン, ワラーコン and 秋山, 英文 and 岡田, 至崇 and 佐藤, 真一郎 and 大島, 武 and Shinichiro, Sato and Takeshi, Ohshima},
 month = {Oct},
 note = {空乏領域におけるShockley-Read-Hall（SRH）再結合レート（U_SRH^dep）は，非発光再結合中心密度，真性キャリア密度（n_i）および印加電圧（V）によって決定するため， n_iが異なる材料を用いたヘテロpn接合構造を有する太陽電池[2]（以降，ヘテロ接合セル）であれば， n_iが低い材料内に空乏領域を形成することでU_SRH^depの制御が可能である．これまでに，ヘテロ接合セルを用いて自然欠陥に起因するU_SRH^depの低減効果を示したが，同様の効果は放射線欠陥に対しても期待できる．そこで，本研究では，ヘテロ接合セルのU_SRH^depに関する放射線損傷について検討した．その結果，ベース層の膜厚よりも拡散長が長い太陽電池の場合，ヘテロ接合セルは初期特性だけでなく，耐放射線性向上も期待できることがわかった．, 第18 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム（第1回日本太陽光発電学会学術講演会）},
 title = {ヘテロpn接合太陽電池の非発光再結合レートに関する放射線損傷},
 year = {2021}
}