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パワー半導体デバイスの放射線劣化・破壊
https://repo.qst.go.jp/records/81148
https://repo.qst.go.jp/records/81148d70ac0ee-f210-49a5-b4fa-5dc40138f05e
| Item type | 一般雑誌記事 / Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-11-30 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | パワー半導体デバイスの放射線劣化・破壊 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
大島, 武
× 大島, 武× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 超低損失パワーエレクトロニクス用の半導体として近年その実用化が急速に進む炭化ケイ素半導体デバイスを中心に放射線影響（はじき出し損傷効果、トータルドーズ効果、シングルイベント効果）を解説する。 | |||||
| 書誌情報 |
電気評論 発行日 2020-12 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 電気評論社 | |||||
