@article{oai:repo.qst.go.jp:00081148,
 author = {大島, 武 and Ohshima, Takeshi},
 journal = {電気評論},
 month = {Dec},
 note = {超低損失パワーエレクトロニクス用の半導体として近年その実用化が急速に進む炭化ケイ素半導体デバイスを中心に放射線影響（はじき出し損傷効果、トータルドーズ効果、シングルイベント効果）を解説する。},
 title = {パワー半導体デバイスの放射線劣化・破壊},
 year = {2020}
}