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アイテム
超高圧電子顕微鏡による化合物半導体デバイスの解析
https://repo.qst.go.jp/records/78286
https://repo.qst.go.jp/records/7828649237172-c761-42f2-8697-aa1ea6fa0c04
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-12-29 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 超高圧電子顕微鏡による化合物半導体デバイスの解析 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
井上, 晃一
× 井上, 晃一× 佐々木, 肇× 日坂, 隆行× 門岩, 薫× 小野田, 忍× 大島, 武× 田口, 英次× 保田, 英洋× 森, 博太郎× Onoda, Shinobu× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | AlGaN/GaN HEMTに重粒子および電子線を照射し、超高圧電子顕微鏡を用いてその照射効果を観察した結果について述べる。照射での変位損傷によるデバイス特性変動から宇宙用途として充分な対放射線性を有していることを示す。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第6回 電子デバイスフォーラム | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-10-31 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
