@misc{oai:repo.qst.go.jp:00078286,
 author = {井上, 晃一 and 佐々木, 肇 and 日坂, 隆行 and 門岩, 薫 and 小野田, 忍 and 大島, 武 and 田口, 英次 and 保田, 英洋 and 森, 博太郎 and Onoda, Shinobu and Ohshima, Takeshi},
 month = {Oct},
 note = {AlGaN/GaN HEMTに重粒子および電子線を照射し、超高圧電子顕微鏡を用いてその照射効果を観察した結果について述べる。照射での変位損傷によるデバイス特性変動から宇宙用途として充分な対放射線性を有していることを示す。, 第6回　電子デバイスフォーラム},
 title = {超高圧電子顕微鏡による化合物半導体デバイスの解析},
 year = {2019}
}