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アイテム
SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響
https://repo.qst.go.jp/records/77971
https://repo.qst.go.jp/records/779715b49a2a0-fdb5-493a-b89e-d8121199cd62
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-12-13 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
千葉, 陽史
× 千葉, 陽史× 山崎, 雄一× 佐藤, 真一郎× 牧野, 高紘× 山田, 尚人× 佐藤, 隆博× 土方, 泰斗× 大島, 武× Chiba, Yoji× Yamazaki, Yuichi× Sato, Shinichiro× Makino, Takahiro× Yamada, Naoto× Sato, Takahiro× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | SiC結晶中シリコン空孔(VSi)の光検出磁気共鳴(ODMR)信号にアニール温度が及ぼす影響を調べた。600 °Cでのアニール後、ODMR信号コントラストは最大となった。アニールに対する欠陥の振る舞いと欠陥準位より、EH3センターといった他の欠陥の減少がコントラストの増加に寄与したと考えられる。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-12-04 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
