@misc{oai:repo.qst.go.jp:00077971,
 author = {千葉, 陽史 and 山崎, 雄一 and 佐藤, 真一郎 and 牧野, 高紘 and 山田, 尚人 and 佐藤, 隆博 and 土方, 泰斗 and 大島, 武 and Chiba, Yoji and Yamazaki, Yuichi and Sato, Shinichiro and Makino, Takahiro and Yamada, Naoto and Sato, Takahiro and Ohshima, Takeshi},
 month = {Dec},
 note = {SiC結晶中シリコン空孔(VSi)の光検出磁気共鳴(ODMR)信号にアニール温度が及ぼす影響を調べた。600 °Cでのアニール後、ODMR信号コントラストは最大となった。アニールに対する欠陥の振る舞いと欠陥準位より、EH3センターといった他の欠陥の減少がコントラストの増加に寄与したと考えられる。, 先進パワー半導体分科会　第6回講演会},
 title = {SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響},
 year = {2019}
}