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アイテム
SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性
https://repo.qst.go.jp/records/77809
https://repo.qst.go.jp/records/778099dfc2333-561a-426b-8fab-6f15ba352394
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-12-05 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
山崎, 雄一
× 山崎, 雄一× 千葉, 陽史× 佐藤, 真一郎× 牧野, 高紘× 山田, 尚人× 佐藤, 隆博× 土方, 泰斗× 児嶋, 一聡× 土田, 秀一× 星乃, 紀博× 大島, 武× Yamazaki, Yuichi× Chiba, Yoji× Sato, Shinichiro× Makino, Takahiro× Yamada, Naoto× Sato, Takahiro× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 粒子ビーム描画(PBW)を用いてSiC pnダイオード内に作製した3 次元配列Vsiを用いて、光・電気同時励起時におけるVsiの光学特性を調べた。小電流印加で発光量、光検出磁場共鳴(ODMR)スペクトルのコントラストが共に劣化した。光・電気励起は同時に起きない発光メカニズムモデルを用いたシミュレーションは発光量変化をよく再現した。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-12-04 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
