@misc{oai:repo.qst.go.jp:00077809,
 author = {山崎, 雄一 and 千葉, 陽史 and 佐藤, 真一郎 and 牧野, 高紘 and 山田, 尚人 and 佐藤, 隆博 and 土方, 泰斗 and 児嶋, 一聡 and 土田, 秀一 and 星乃, 紀博 and 大島, 武 and Yamazaki, Yuichi and Chiba, Yoji and Sato, Shinichiro and Makino, Takahiro and Yamada, Naoto and Sato, Takahiro and Ohshima, Takeshi},
 month = {Dec},
 note = {粒子ビーム描画(PBW)を用いてSiC pnダイオード内に作製した3 次元配列Vsiを用いて、光・電気同時励起時におけるVsiの光学特性を調べた。小電流印加で発光量、光検出磁場共鳴(ODMR)スペクトルのコントラストが共に劣化した。光・電気励起は同時に起きない発光メカニズムモデルを用いたシミュレーションは発光量変化をよく再現した。, 先進パワー半導体分科会 第6回講演会},
 title = {SiC デバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性},
 year = {2019}
}